新品發(fā)布 | 聯(lián)訊儀器 S2017C: 硬件突破0.1 fA分辨率精密源表 助力光通信三大領(lǐng)域測試

  ICC訊 在半導(dǎo)體、先進(jìn)材料及生物電子等前沿領(lǐng)域，微弱電流的精確測量一直是評估器件性能與可靠性的關(guān)鍵。面對日益精細(xì)的科研與測試需求，聯(lián)訊儀器正式發(fā)布S2017C高精度源測量單元(SMU),以0.1 fA分辨率與 50 fA精度的卓越性能，重新定義低電流測量標(biāo)準(zhǔn)，助力科研與工業(yè)檢測邁向更高精度時(shí)代。

  

  1. 核心光電器件測試與表征光通信是源測量單元(SMU)最經(jīng)典和核心的應(yīng)用領(lǐng)域。光通信系統(tǒng)的基石是一系列實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)相互轉(zhuǎn)換的器件，其電學(xué)性能(如驅(qū)動(dòng)特性、響應(yīng)度、線性度等)直接決定了系統(tǒng)的最終性能指標(biāo)。SMU憑借其高精度、四象限輸出與測量能力，成為對這些器件進(jìn)行靜態(tài)與動(dòng)態(tài)電學(xué)特性分析不可或缺的工具。

  ? 激光二極管(LD)與發(fā)光二極管(LED)測試：精確測量其驅(qū)動(dòng)電流與工作電壓(I-V特性)、閾值電流、斜率效率以及反向擊穿電壓等關(guān)鍵參數(shù)。

  ? 光電探測器(PD)與雪崩光電二極管(APD)測試：用于表征探測器的暗電流、響應(yīng)度、線性動(dòng)態(tài)范圍，以及APD的雪崩增益、最佳偏置電壓等。

  ? 光調(diào)制器(如馬赫-曾德爾調(diào)制器，MZM)測試：為其射頻電極與偏置電極提供精密電壓，測量其電容、半波電壓等關(guān)鍵電學(xué)參數(shù)，以評估調(diào)制效率與線性度。

  2. 集成光子芯片(PIC)與硅光芯片測試隨著硅光與混合集成技術(shù)的成熟，激光器、調(diào)制器、探測器、波導(dǎo)及控制單元被高度集成于單一芯片。在此背景下，SMU的角色從單一器件測試擴(kuò)展為對復(fù)雜多功能芯片的系統(tǒng)化電學(xué)性能評估。

  ? 片上器件參數(shù)提?。簩π酒瑑?nèi)集成的各個(gè)功能單元(如光源、調(diào)制器、熱移相器、光電二極管等)進(jìn)行獨(dú)立的電學(xué)端口測試，獲取其I-V特性、阻抗、開關(guān)比等本征參數(shù)，為芯片設(shè)計(jì)與建模提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。

  ? 功耗分析與評估：精確量化整個(gè)芯片或其特定功能模塊在不同工作模式下的靜態(tài)功耗(如偏置電流)與動(dòng)態(tài)功耗(如調(diào)制驅(qū)動(dòng)功耗)，對于低功耗芯片設(shè)計(jì)至關(guān)重要。

  ? 電學(xué)輔助的功能驗(yàn)證：為芯片上的各類電學(xué)接口(如電極、焊盤)施加精確可控的偏置或驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并結(jié)合光學(xué)測量，驗(yàn)證各部件及整體鏈路的光學(xué)功能是否按設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。

  3. 光電子子系統(tǒng)與模塊測試在光收發(fā)模塊(如SFP, QSFP-DD)的研發(fā)、生產(chǎn)及失效分析環(huán)節(jié)，SMU作為精密直流源與測量儀表發(fā)揮著重要作用。

  ? TOSA/ROSA子組件電學(xué)驗(yàn)證：在發(fā)送光學(xué)子組件(TOSA)與接收光學(xué)子組件(ROSA)的封裝前后，對其核心器件(如激光器、探測器)進(jìn)行基礎(chǔ)電學(xué)性能測試(如正向電壓、暗電流)，確保子組件電學(xué)接口正常。

  ? 故障診斷與失效分析：當(dāng)模塊功能異?；蚴r(shí)，可利用SMU對模塊內(nèi)部關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)或器件引腳進(jìn)行精密點(diǎn)測(如連續(xù)性測試、I-V曲線掃描)，快速定位開路、短路、接觸不良或器件性能劣化等故障根源，指導(dǎo)維修與工藝改進(jìn)。

   S2017C:低漏電流測試的首選

   寬域輸出，精準(zhǔn)覆蓋

   S2017C支持±200 V±1 A寬動(dòng)態(tài)范圍輸出，兼具直流與脈沖兩種模式，滿足多樣化測試場景。其在電壓與電流測量上分別實(shí)現(xiàn)±(0.03 %+50 μV)和±(0.9%+50 fA)的最佳精度，為高靈敏度測試提供可靠保障。

   核心參數(shù)

    全鏈路抑制漏電及干擾，專注微弱信號(hào)

    · 內(nèi)置自動(dòng)Guard技術(shù)：動(dòng)態(tài)匹配高阻節(jié)點(diǎn)電壓，有效減少測試線路中的泄漏電流。

    · 三同軸屏蔽保護(hù)與智能濾波：采用三同軸結(jié)構(gòu)結(jié)合先進(jìn)濾波算法，顯著降低熱噪聲與電磁干擾。

    · 前置放大器保障：確保0.1 fA級別信號(hào)的穩(wěn)定捕捉與還原。

    APFC動(dòng)態(tài)調(diào)優(yōu)

    支持自適應(yīng)精密快速控制(APFC)技術(shù)，可根據(jù)負(fù)載智能調(diào)節(jié)輸出特性，實(shí)現(xiàn)亞毫秒級波形穩(wěn)定，瞬態(tài)響應(yīng)幾乎無延遲。

    模塊化集成，擴(kuò)展靈活

    基于 PXle架構(gòu)，支持多卡級聯(lián)與硬件同步觸發(fā)，單機(jī)箱最高可擴(kuò)展17張 SMU卡，適用于自動(dòng)化、多通道測試系統(tǒng)搭建，提供SCPI指令控制及C#、Python、C/C++、LabVIEW等多種編程接口，顯著降低系統(tǒng)集成復(fù)雜度。

    典型應(yīng)用場景

    S2017C適用于一切需要對pA級以下電流進(jìn)行精確測量的領(lǐng)域，包括但不限于：

    先進(jìn)邏輯與存儲(chǔ)芯片的柵極漏電與關(guān)態(tài)電流測量。

    SiC、GaN等寬禁帶功率器件在高壓條件下的微小漏電評估。

    半導(dǎo)體器件研發(fā)

    *Pre-Sense/SwitchUnit(PSU)，與S2017C協(xié)同，實(shí)現(xiàn)分辨率達(dá)0.1fA的超低漏電流測量。

    新材料與器件表征

    二維材料(如石墨烯)、有機(jī)半導(dǎo)體、鈣鈦礦薄膜晶體管的載流子輸運(yùn)行為分析。

    光電探測器、MEMS傳感器等的暗電流與噪聲基底測量。

    超低功耗與量子技術(shù)

    物聯(lián)網(wǎng)芯片、生物植入設(shè)備的待機(jī)功耗驗(yàn)證。

    量子點(diǎn)、單電子器件等前沿方向的電學(xué)特性研究。

    使用S2017C配合相應(yīng)附件，可快速、準(zhǔn)確地獲取各類器件的IV特性曲線，為科研與工程提供可靠數(shù)據(jù)支撐。

    聯(lián)訊儀器，不止儀器

    我們深知，高精度儀器的使用離不開專業(yè)的支持。因此，聯(lián)訊儀器為您配套提供：

    即裝即用的測量軟件：內(nèi)置常見半導(dǎo)體測試算法，大幅縮短準(zhǔn)備時(shí)間。

    詳細(xì)應(yīng)用指南：針對典型測量難點(diǎn)(如晶體管關(guān)態(tài)電流測量)，提供步驟清晰的實(shí)操方法與數(shù)據(jù)分析建議。

    專業(yè)技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)：經(jīng)驗(yàn)豐富的應(yīng)用工程師全程協(xié)助，解答測量搭建與結(jié)果分析中的各類問題。

    結(jié)語

    聯(lián)訊儀器 S2017C 不僅是一款高精度 SMU,更是面向未來的微弱電流測量解決方案。無論是前沿科研，還是嚴(yán)苛的工業(yè)測試，它都將以出色的性能與可靠的穩(wěn)定性，成為您實(shí)驗(yàn)中值得信賴的伙伴。

    捕捉微弱信號(hào)，洞察細(xì)微變化一一S2017C，為精密測量而生。

    關(guān)于聯(lián)訊

    作為國內(nèi)高端測試儀器與設(shè)備供應(yīng)商，聯(lián)訊聚焦高速通信、光芯片及半導(dǎo)體晶圓芯片測試領(lǐng)域，已形成“儀器+設(shè)備+解決方案”的完整生態(tài)。其產(chǎn)品矩陣包括：

    高速測試儀表：采樣示波器、時(shí)鐘恢復(fù)單元、誤碼儀、波長計(jì)、精密源表等

    光芯片測試設(shè)備：激光器CoC老化、裸芯片測試、硅光晶圓測試系統(tǒng)等

    半導(dǎo)體測試設(shè)備：SiC晶圓老化、SiC裸芯片KGD測試分選、WAT晶圓參數(shù)測試系統(tǒng)

    行業(yè)解決方案：1.6T光互連測試方案等，全面滿足客戶多元化需求。

    更多產(chǎn)品詳情，請?jiān)L問www(semight.com