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安捷倫利用9O納米CMOS工藝完成6.25Gbs SerDes核心驗證

摘要: 安捷倫科技(Agilent Technologies)在90納米的CMOS制程技術(shù)中完成第三代SerDes的核心驗證。  這個核心具備了模塊式設(shè)計和低耗電量等特性,因此存儲與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備制造商可以盡可


 安捷倫科技(Agilent Technologies)在90納米的CMOS制程技術(shù)中完成第三代SerDes的核心驗證。

 這個核心具備了模塊式設(shè)計和低耗電量等特性,因此存儲與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備制造商可以盡可能地在一顆ASIC芯片中嵌入許多SerDes信道(每個信道的操作速度最高可達6.25Gb/s)。

 安捷倫的ASIC解決方案是同時還提供深入的系統(tǒng)層級設(shè)計經(jīng)驗、正常供貨的保證、以及對整個產(chǎn)品生命周期的支持。上述優(yōu)點加上齊備的IP組合,將有助于快速整合通訊、視頻、存儲及運算等應(yīng)用所需的高品質(zhì)、高效能ASIC。

 在所執(zhí)行的測試中,嵌入的SerDes  ASIC在室溫、使用兩個接頭的情況下,信號透過FR4材料可以在不失真的情況下,傳送長達76公分(30吋)的距離。90納米的SerDes核心符合以太網(wǎng)絡(luò)XAUI(Ethernet XAUI)規(guī)定,提供了:149.6 AC-Extest,可測試PCB上面兩個IC之間的交流耦合連接、LC式振蕩器有更佳的電源供應(yīng)器噪聲斥拒、決策回饋等化(Decision feedback equalization)、可利用BERT來測試芯片,以使信道達到最佳的狀態(tài)、自動執(zhí)行接收器DEF調(diào)諧、<10-17的低誤碼率,以及內(nèi)建內(nèi)建100歐姆的差動式終端等種種功能。

 安捷倫的嵌入式SerDes ASIC開發(fā)模型,為整個產(chǎn)品生命周期提供了完善的支持。它在定義系統(tǒng)層級結(jié)構(gòu)的初期階段納入了測試能力,并可執(zhí)行內(nèi)電路制造測試、功能測試、系統(tǒng)設(shè)計與除錯、以及現(xiàn)場診斷。透過這個模型,安捷倫將能協(xié)助設(shè)備制造商開發(fā)出更可靠、輕巧、簡單且經(jīng)濟的高頻寬網(wǎng)絡(luò)與存儲系統(tǒng)。

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