ICC訊 2025年8月6日,Tower Semiconductor召開(kāi)第二季度財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議。首席執(zhí)行官Russell Ellwanger在會(huì)議中披露:“2025上半年,我們從試產(chǎn)轉(zhuǎn)入量產(chǎn)階段的硅光產(chǎn)品數(shù)量是去年同期的5倍,已超2024年全年總量。這印證了平臺(tái)成熟度、客戶(hù)采納率及運(yùn)營(yíng)擴(kuò)展效率的提升?!?
1. 技術(shù)進(jìn)展與產(chǎn)品
現(xiàn)有產(chǎn)品:正在量產(chǎn)400Gbps、800Gbps產(chǎn)品,并大力提升1.6Tbps產(chǎn)品的晶圓投片量。
新技術(shù)突破:
- 開(kāi)發(fā)出300mm硅光子學(xué)新技術(shù),可為光收發(fā)模塊的接收功能提供成本和性能優(yōu)勢(shì)。
- 利用成熟硅光子學(xué)平臺(tái),實(shí)現(xiàn)200G每通道、1.6Tbps產(chǎn)品的高良率。
下一代技術(shù)(3.2Tbps):
- 需根本性改進(jìn)(新器件、工藝、材料)。
- 與一級(jí)客戶(hù)合作推進(jìn),首個(gè)平臺(tái)預(yù)計(jì)2026年中量產(chǎn)。
2. 產(chǎn)能與量產(chǎn)進(jìn)展
量產(chǎn)轉(zhuǎn)換加速:2025年上半年,硅光子學(xué)產(chǎn)品從試產(chǎn)轉(zhuǎn)入量產(chǎn)的數(shù)量同比增長(zhǎng)5倍,已超2024年全年總量。
新增產(chǎn)能規(guī)劃:
- 接收端新技術(shù)計(jì)劃2025年Q4開(kāi)始初步量產(chǎn)。
- 到2026年底,硅光子學(xué)產(chǎn)能預(yù)計(jì)比當(dāng)前水平翻倍。
3. 市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)與競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
取代傳統(tǒng)方案:1.6Tbps產(chǎn)品推動(dòng)硅光子學(xué)替代傳統(tǒng)EML解決方案,憑借顯著的成本與性能優(yōu)勢(shì)提升市場(chǎng)滲透率。
市場(chǎng)擴(kuò)展:
- 當(dāng)前產(chǎn)品主要服務(wù)光收發(fā)模塊的發(fā)射功能。
- 接收端新技術(shù)預(yù)計(jì)將服務(wù)市場(chǎng)擴(kuò)大約20%。
客戶(hù)需求:1.6Tbps原型產(chǎn)品增速快于400G/800G(年初至今數(shù)量高出40%),服務(wù)多個(gè)大型客戶(hù)。
4. 收入與增長(zhǎng)預(yù)期
2025年目標(biāo):硅光子學(xué)收入預(yù)計(jì)較2024年(1.05億美元)翻倍,下半年增速可能超預(yù)期。
長(zhǎng)期產(chǎn)能規(guī)劃:到2026年下半年,硅光子學(xué)產(chǎn)能將達(dá)2025年Q4目標(biāo)水平的2.2倍。
5. 制造布局靈活性
全球工廠(chǎng)(日本、美國(guó)、以色列、意大利)支持交叉認(rèn)證與產(chǎn)能調(diào)配,滿(mǎn)足地緣政治及客戶(hù)地域需求。
日本富山5號(hào)晶圓廠(chǎng)開(kāi)放承接功率器件等新增訂單。
補(bǔ)充說(shuō)明
與硅鍺(SiGe)的協(xié)同:硅光子學(xué)與硅鍺同屬射頻基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù),2025年Q2射頻基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)占公司總收入25%(超9000萬(wàn)美元),預(yù)計(jì)未來(lái)顯著增長(zhǎng)。
技術(shù)路線(xiàn)確定性:CEO重申,可插拔光模塊仍為主流,共封裝光學(xué)(CPO)商用預(yù)計(jì)不早于2029年,現(xiàn)有硅光技術(shù)路線(xiàn)不受影響。
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